【今年会官网科技消息】近日,据韩媒报道,SK海力士已将位于韩国清州的M15X新工厂(被誉为“HBM4专用工厂”)的量产时间表大幅提前4个月,计划于明年2月开始投入用于HBM4的1b纳米制程DRAM量产晶圆,原定时间为6月。初期产能约1万片晶圆,并计划在年底前扩大至数万片规模。目前,相关生产设备正在加紧投入与安装。

这一激进举措被普遍解读为SK海力士针对核心客户英伟达的需求做出的先发应对。英伟达下一代AI加速器“Rubin”预计将于明年下半年出货,其性能提升的关键在于搭载新一代的HBM4内存。SK海力士已于去年9月率先完成HBM4客户样品开发并交付英伟达,目前正与英伟达及代工厂台积电紧密合作,进行基于先进封装技术CoWoS的系统集成与优化测试,以确保GPU与HBM4在信号时序、功耗和散热上的完美协同。

与此同时,全球HBM市场竞争日趋激烈。三星电子也已向英伟达提供HBM4样品,目前正处于优化测试阶段;美光则宣称其明年HBM4产能已被全部预订。内存三巨头围绕英伟达Rubin平台订单的争夺已全面展开。
据悉,英伟达最终供应商选定及份额分配结果预计将于明年初揭晓,功耗效率、发热稳定性、良率及大规模供应能力将成为关键评估指标。三星电子近期正全力提升其HBM工艺良率,以期在竞争中赢得优势。
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